La industria tecnológica presencia un hito decisivo con la disponibilidad comercial de la memoria HBM4, una tecnología diseñada para superar las barreras de procesamiento en la inteligencia artificial. Con una velocidad de transferencia estable de 11,7 gigabits por segundo (Gbps), esta solución aborda la necesidad crítica de ancho de banda que exigen los modelos generativos más complejos para operar sin latencia.
Este desarrollo no solo incrementa el rendimiento bruto, sino que optimiza la sostenibilidad operativa mediante una mejora superior al 40% en eficiencia energética frente a generaciones previas. Al integrar procesos de fabricación de vanguardia, como la DRAM 1c y lógica de 4nm, la arquitectura logra un equilibrio vital entre potencia de cálculo y consumo para los centros de datos modernos.
Innovación disruptiva y cronograma de escalabilidad
La decisión de abandonar las arquitecturas heredadas marca un cambio fundamental en la estrategia de ingeniería de la compañía, priorizando la adopción temprana de tecnologías de fundición avanzadas para asegurar el liderazgo en el mercado de alto rendimiento.
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Sang Joon Hwang, VP El nejecutivo y jefe de Desarrollo de Memoria en Samsung Electronics, destaca la audacia de esta transición técnica. El directivo enfatiza que la elección de nuevos nodos de fabricación fue indispensable para cumplir con los requisitos extremos de los clientes actuales.
“En lugar de tomar el camino convencional de utilizar diseños probados existentes, Samsung dio el salto y adoptó los nodos más avanzados, como la DRAM 1c y el proceso lógico de 4nm para HBM4.”
La hoja de ruta contempla una expansión agresiva de la capacidad productiva para 2026, garantizando el suministro estable a los desarrolladores de GPU y proveedores de nube. Posteriormente, se introducirá la variante HBM4E y soluciones personalizadas (Custom HBM) en 2027, permitiendo a las empresas adaptar la arquitectura de memoria a sus cargas de trabajo específicas.
