Samsung Electronics y SK hynix habrían sido seleccionadas como proveedoras de memoria HBM4 para Vera Rubin, la próxima generación de aceleradores de inteligencia artificial de Nvidia, según un artículo publicado por Hankyung. Micron, en cambio, no aparece considerada para esta plataforma en su versión principal.xxxx
Vera Rubin exigiría HBM4 sobre 10 Gb y 576 GB de capacidad
Según el texto, Vera Rubin sería presentado por primera vez en GTC 2026 y su lanzamiento comercial se proyecta para la segunda mitad del año. NVIDIA habría pedido HBM4 con velocidades superiores a 10 Gb por segundo, por encima del estándar de 8 Gb definido por JEDEC.
El artículo añade que Vera Rubin integraría 16 pilas HBM4 con una capacidad total de 576 GB. Esa cifra supera los 432 GB atribuidos al futuro acelerador MI450 de AMD.
Samsung aparece más avanzada y SK Hynix sigue en optimización
El texto señala que Samsung habría superado en la práctica las pruebas de calidad de NVIDIA para variantes HBM4 de 10 Gb y 11 Gb por segundo. También indica que la compañía ya habría despachado un volumen inicial de producto terminado.
SK Hynix, por su parte, seguiría trabajando con NVIDIA en la optimización de su producto para aprobar la prueba de 11 Gb. Dado que el ciclo productivo supera los seis meses, el artículo plantea que ambas compañías podrían iniciar producción HBM4 tan pronto como este mes.
El reparto final de volúmenes y precios todavía no estaría definido. Como factor de contexto, el texto añade que el alza de precios del DRAM convencional para servidores podría influir en la rentabilidad relativa de HBM4.
