Litografía

Intel 18A usa High NA en capas seleccionadas y logra resultados comparables o superiores a NXE mientras prepara máscaras de mayor formato para escalar

Samsung prevé incorporar los sistemas de ASML a la producción masiva de DRAM hacia 2028 para mejorar resolución, eficiencia y escalamiento de memorias

La memoria HBM3E 12H de Samsung ofrece la HBM de mayor capacidad de la industria con una innovadora pila de 12 capas, lo que aumenta el rendimiento y la capacidad en más de un 50 %.

SMIC desafía limitaciones tecnológicas y sanciones para producir chips de 5nm, marcando un hito en la innovación para Huawei.