Samsung y ASML amplían alianza para High NA EUV y fotomáscaras de 12 pulgadas
Samsung prevé incorporar los sistemas de ASML a la producción masiva de DRAM hacia 2028 para mejorar resolución, eficiencia y escalamiento de memorias
Samsung crea la primera DRAM HBM3E 12H de 36 GB de la industria
La memoria HBM3E 12H de Samsung ofrece la HBM de mayor capacidad de la industria con una innovadora pila de 12 capas, lo que aumenta el rendimiento y la capacidad en más de un 50 %.
Avance estratégico en semiconductores: SMIC impulsa a Huawei con chips de 5 nanómetros
SMIC desafía limitaciones tecnológicas y sanciones para producir chips de 5nm, marcando un hito en la innovación para Huawei.
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