Samsung y ASML amplían alianza para High NA EUV y fotomáscaras de 12 pulgadas
La tecnología llegará a producción masiva de DRAM en 2028. | Creada con IA.

Samsung y ASML amplían alianza para High NA EUV y fotomáscaras de 12 pulgadas

Samsung Electronics y ASML ampliaron su colaboración estratégica para avanzar en tecnologías de fabricación de semiconductores, incluyendo litografía High NA EUV y el desarrollo de fotomáscaras de 12 pulgadas.

El acuerdo también contempla la futura incorporación de sistemas High NA EUV de ASML en la fabricación de memorias DRAM de Samsung.

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Samsung participará en el desarrollo de fotomáscaras de 12 pulgadas

Samsung se sumará a una iniciativa de la industria orientada al desarrollo de fotomáscaras de 12 pulgadas para procesos High NA EUV. El sector utiliza actualmente principalmente máscaras de 6 pulgadas, un formato empleado durante décadas en la fabricación de semiconductores.

Según Samsung, el nuevo formato permitiría aumentar la productividad de las fábricas, reducir costos de fabricación y eliminar restricciones relacionadas con el stitching. La compañía también participará en el desarrollo de las tecnologías de máscaras y de la infraestructura necesaria para su implementación.

Young Hyun Jun, vicepresidente y CEO de Samsung Electronics, señaló que la colaboración con ASML forma parte de la estrategia de la compañía para avanzar en tecnologías de fabricación asociadas a la próxima generación de semiconductores.

“La era de la IA está transformando la industria de los semiconductores y aumentando la importancia de la innovación tecnológica en toda la cadena de valor. Samsung está comprometida con mantener el liderazgo en la fabricación avanzada de semiconductores, incluidas las áreas de memoria y foundry, mediante tecnologías disruptivas y alianzas sólidas. Al fortalecer aún más nuestra colaboración con ASML, estamos ayudando a sentar las bases para la próxima generación de innovación en IA y semiconductores”.
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Samsung llevará High NA EUV a la fabricación de DRAM

Samsung planea introducir la tecnología High NA EUV de ASML en la fabricación de DRAM de alto volumen hacia 2028. La compañía apunta a utilizar la mayor resolución de estos sistemas para extender el escalamiento de las memorias, simplificar procesos y mejorar la eficiencia de fabricación.

Ambas empresas también continuarán explorando aplicaciones de la tecnología en memoria avanzada y otros procesos de fabricación de semiconductores.

Christophe Fouquet, presidente y CEO de ASML, destacó la relación tecnológica entre ambas compañías y la importancia de profundizar esa cooperación ante las nuevas exigencias de la industria.

“Samsung ha sido uno de los socios de innovación más importantes de ASML durante muchos años. Juntos, hemos contribuido a impulsar las tecnologías que sustentan la fabricación moderna de semiconductores. A medida que la industria entra en una nueva era impulsada por la inteligencia artificial, la colaboración estrecha con nuestros clientes se vuelve aún más importante. Esperamos seguir trabajando con Samsung para hacer posible la próxima ola de innovación en semiconductores”.