Samsung Electronics presentó en FMS 2026 sus conceptos zHBM y zNAND-O, junto con la nueva V10 BV-NAND de más de 400 capas. La compañía plantea estas tecnologías como parte de una arquitectura de memoria orientada a mejorar el rendimiento, la densidad y la eficiencia energética de la infraestructura de inteligencia artificial.
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zHBM integrará la memoria sobre los aceleradores de IA
El concepto zHBM propone apilar verticalmente la memoria HBM sobre los aceleradores de IA, en lugar de instalarla junto al procesador. Esta disposición reduciría la distancia recorrida por los datos y permitiría aumentar el ancho de banda, además de disminuir el consumo energético.
Según las proyecciones de Samsung, una interfaz basada en zHBM podría alcanzar ocho veces el rendimiento de HBM5, superar diez veces su densidad de memoria y triplicar la eficiencia energética. La arquitectura también permitiría incorporar diseños personalizados entre la memoria y el acelerador.
Samsung también presentó zNAND-O, una solución NAND de alto rendimiento basada en V-NAND y desarrollada en versiones de cuatro y ocho capas. La tecnología está orientada a cargas de IA en el borde que requieren baja latencia y procesamiento intensivo de datos en tiempo real.
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V10 BV-NAND supera las 400 capas
La compañía mostró además V10 BV-NAND, su primera arquitectura Bonding V-NAND fabricada mediante unión de obleas. La tecnología supera las 400 capas y aumenta aproximadamente un 58% la densidad de memoria respecto de la generación V9, junto con mejoras en lectura, escritura y entrada y salida.
El anuncio se complementó con la exhibición de HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y unidades empresariales como PM1763 y BM1773, componentes que Samsung integra en su hoja de ruta para servidores, centros de datos y sistemas de IA.
