Intel Foundry actualizó su hoja de ruta de procesos en el VLSI Symposium 2026, con foco en Intel 18A-P y en líneas de investigación para futuras generaciones de silicio. La compañía informó que Intel 18A-P, primera mejora de desempeño dentro de la familia Intel 18A, entró en producción de riesgo según el calendario comunicado a clientes y socios.
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Intel 18A-P mejora rendimiento, consumo y compatibilidad de diseño
Intel 18A-P mantiene compatibilidad de reglas de diseño con Intel 18A, lo que permite reutilizar propiedad intelectual y flujos existentes. La compañía informó un 9% más de rendimiento a igual potencia o un 18% menos de consumo a igual desempeño frente a Intel 18A.
El proceso incorpora Power Boost, una opción de transistor de doble contacto y baja resistencia orientada a elevar corriente de manejo y frecuencia. Intel también reportó mejoras de 20% a 40% en resistencia térmica y de 10% a 30% en resistencia de vías, además de nuevas opciones de transistores de baja potencia y alto rendimiento.
Naga Chandrasekaran, VP ejecutivo y gerente general de Intel Foundry, situó la actualización como una señal para clientes y socios del negocio de manufactura. Su declaración ubica el avance de Intel 18A-P dentro de una ruta de innovación de largo plazo.
“Nuestras actualizaciones y presentaciones en VLSI señalan a los clientes y socios de Intel Foundry que estamos plenamente comprometidos con la innovación de procesos de vanguardia a largo plazo. Este es un recorrido, y aunque tenemos más trabajo por delante, valoramos la oportunidad de compartir el progreso que estamos logrando con Intel 18A-P y nuestra I+D de más largo alcance”.
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Investigación para las siguientes generaciones de silicio
Intel Foundry también abordó avances asociados a transistores gate-all-around y entrega de energía por la parte posterior del chip. En una presentación invitada, Eric Karl, vicepresidente y fellow de Intel Foundry, mostró una reducción de 11% en área enrutada y una disminución de 10 veces en caída dinámica de voltaje, con potencial de hasta 6% más frecuencia o más de 15% de reducción en potencia dinámica frente a una tecnología comparable con interconexión frontal.
La compañía también presentó resultados de núcleos CPU fabricados sobre un proceso con gate-all-around y entrega posterior de energía. Según Intel, las pruebas muestran mejor escalamiento de frecuencia a bajo voltaje, con una mejora aproximada de 30% cerca de 0,5 V, junto con menor caída IR y operación más eficiente.
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En investigación de mayor plazo, Intel mostró inversores CFET monolíticos con dispositivos NMOS y PMOS apilados verticalmente a 45 nm de gate pitch. La compañía también presentó integración monolítica de nitruro de galio con lógica de silicio en obleas de 300 mm, además de interconexiones de rutenio con airgap que alcanzan hasta cerca de 35% menos capacitancia frente al cobre.
